SK海力士正在测试东京威力科创（TEL）最新的低温蚀刻工具，可在 -70°C工作，以实现400层以上新型3D NAND。

消息人士透露，SK海力士已将测试芯片送至TEL实验室测试，而不是装在自家芯片厂。这有助SK海力士评估潜力，TEL新型蚀刻设备可在 -70°C超低温高速蚀刻，与0-30°C现有蚀刻设备不同。

TEL最新蚀刻设备可在短短33分钟内完成10微米深高深宽比蚀刻，比现有工具快三倍以上，为氧化物蚀刻。大幅提高3D NAND生产效率，有望重塑3D NAND设备的生产时间和产出品质。

消息人士指出，SK海力士将在321层NAND使用三层堆栈（triple-stack）结构。要蚀刻均匀性良好的深层内存信道孔是大挑战，业界大都采用双层堆栈甚至三层堆栈制造3D NAND，因蚀刻垂直孔相当困难。

因此采用TEL新型蚀刻设备后，未来可能以较少堆栈层数制造400层以上3D NAND。SK海力士目标是生产400层以上NAND，且根据性能，这些NAND有机会采单层或双层堆栈结构。

当使用更少堆栈封装更多层数，能使内存制造商降低成本，因制程变简单。此外，SK海力士和三星也在研究使用低温蚀刻设备，以降低碳排放。

TEL设备以氟化氢代替氟化碳，大量减少温室气体排放，三星也在自家芯片厂测试TEL试用版。

（首图来源：SK海力士）