台积电2025年第四季度业绩报告及2026年资本开支计划正式出炉，公司预计本年度资本支出区间落在520亿至560亿美元，同比增幅最高可达36.92%。无独有偶，英伟达同步披露，其已于2025年第四季度上调对三星电子、SK海力士两家供应商的HBM4芯片供应标准。这一系列动态的背后，是AI需求持续爆发的强力驱动，不仅推动台积电加码资本开支扩充产能，也促使英伟达抬高存储芯片的供应门槛，二者共同为存储芯片板块释放出明确利好信号。值得关注的是，当前全球存储行业正迎来产能结构的深度调整，各大厂商纷纷将产能向利润更为丰厚的高带宽内存（HBM）领域倾斜，这一趋势直接挤压了传统DRAM内存的产能空间。在此背景下，业内机构作出预判，2026年第一季度DRAM合约价将实现55%-60%的季度涨幅，NAND Flash品类则得益于原厂的产能管控，各类产品合约价将延续上涨态势，涨幅区间锁定在33%-38%。从A股市场表现来看，存储芯片板块凭借极高的行业景气度，稳居近期市场核心主线阵营，中期向上趋势坚实稳固。
