三星成功逆转……向谷歌供应超60%HBM经确认，三星电子今年通过博纳向谷歌供应的高带宽内存（HBM）总量占比超过60%。分析认为，这是通过重新设计HBM所用DRAM提升HBM3E（第五代HBM）性能，并扩大对核心客户供货量的结果。谷歌通过专精定制半导体设计的博纳开发自研AI加速器TPU（张量处理单元）。对于明年即将开启市场的下一代HBM——“HBM4”（第六代HBM），三星电子有望于本月初就收到主要客户的质量认证结果。半导体业界有分析指出，“三星已弥合与竞争对手的差距，明年其市场份额和利润率将有所改善。”谷歌HBM“首要供应商”是三星据1日半导体业界消息，今年迄今，三星电子通过博纳向谷歌供应的HBM数量占比已超过60。虽然上半年SK海力士在博纳/谷歌HBM中的份额更高，但据悉三星电子下半年加大供货，全年实现“逆转”。近期因TPU备受关注的谷歌通过专精定制芯片（ASIC）的博纳开发半导体，博纳也负责TPU的HBM采购。三星电子对核心客户扩大HBM供货也在出口数据中得到印证。据替代数据平台Aicel统计，今年7至10月，三星电子HBM封装线所在地——忠南牙山复合结构芯片集成电路（含HBM）累计出口额达82亿美元（约12万亿韩元），同比增长19.2%（去年同期69亿美元）。三星得以在今年下半年增加对博纳/谷歌供货，得益于通过重新设计1a DRAM解决了发热问题。转折点来自去年5月就任三星电子DS事业部负责人的全永贤副会长。他年初下令对HBM3E用1a DRAM进行重新设计，HBM开发团队以“破釜沉舟”的决心攻克发热难题。一位半导体业内人士表示，“虽然三星9月底通过了英伟达HBM3E质量测试，但其战略客户是博纳”，“明年三星仍将通过向博纳供应HBM，继续扮演谷歌‘首要供应商’角色。”三星电子HBM4质量认证将于本月初出结果三星与SK海力士围绕HBM4供货的竞争也愈演愈烈。三星率先采用10纳米第六代（1c）DRAM作基础裸片，并结合4纳米代工工艺开发逻辑裸片，实现每秒超11吉比特（Gb）运行速度。在上月26日举行的“国际固态电路会议（ISSCC）2026”上，三星展示了容量36吉字节（GB）、带宽（数据处理能力）每秒3.3太字节（TB）的HBM4。目前，三星正向英伟达等主要客户送样HBM4并接受质量测试。公司内外普遍预计本月初将收到“积极结果”。据悉，三星已建立“量产体系”，一旦通过HBM4质量认证即可迅速扩产。一位半导体业内人士解释，“三星已基本解决HBM技术差距，预计明年市场份额和利润率将改善”，“HBM在整体DRAM中占比（按位元计）约15%，仍有巨大扩张空间。”SK海力士否认HBM4重新设计传闻HBM龙头SK海力士近期因“英伟达要求重新设计HBM4”传闻而陷入困扰。SK海力士计划采用10纳米第五代（1b）DRAM和台积电12纳米代工工艺生产HBM4。在近期某外资券商举办的IR活动上，SK海力士就HBM4重新设计传闻回应称，“如第三季电话会议所述，明年价格与数量均已敲定”，“良率、重新设计或认证延迟均无问题。”公司还对向主要客户大规模供应HBM4充满信心。SK海力士强调，“今年第四季度将开始全面投片”，“有意义的量产规模将于2026年第二季度末起显现。”SK海力士的核心目标是全球第一大AI加速器厂商英伟达。主流分析认为，凭借与英伟达长期合作关系，SK海力士极有可能继续扮演HBM4“首要供应商”角色。至于谷歌HBM供货，SK海力士表示“短期内难以迅速增供”。据悉，SK海力士对英伟达以外客户（如谷歌）的销售占比约30%。公司称，“2026年HBM4需求主要来自核心客户”，“2026年客户结构比例不会有显著变化。”
