中国电科材料下属国盛公司大尺寸硅外延产业化项目首枚12英寸硅外延产品正式下线，这一成果标志着我国在大尺寸半导体外延材料领域实现核心技术突破，成功迈入大尺寸、全系列、高品质的外延材料供应新阶段。 国盛公司首枚12英寸硅外延片下线，不只是一次“新品发布”，而是把国内长期缺失的“大硅片外延—器件—系统”最后一道关卡撕开了一道口子，释放出三条硬信号： 1. 12英寸外延片不再“只进不出”，国产线正式拿到入场券 过往国内每月耗用约55万片12英寸外延片，90%以上靠日本信越、SUMCO和德国Siltronic进口；国盛产线一次可切4万片/月（一期），直接把本土自给率从“几乎为零”拉到7%以上，并预留扩产至10万片/月空间，意味着“进口替代”从口号变成可量化订单。 2. 技术路线跳过“8英寸过渡”，一步对标国际最先进水平 产品电阻率均匀性≤1%、表面金属杂质≤5×10⁹ at/cm³、缺陷密度＜0.1/cm²，三项指标全部达到TSMC/Samsung 5nm～3nm制程用片标准；同时采用“高温气相外延+单晶衬底自产”一体化模式，衬底由电科材料旗下普兴公司同步配套，形成“拉晶—切磨抛—外延”全国产闭环，避免被“卡两端”——既卡衬底又卡外延。 3. 设备与材料国产化率＞80%，把“外延炉＋特种气体＋石墨基座”一并拉通 核心设备联合北方华创、中微、沈阳拓荆开发的12英寸单片/多片外延炉已通过128小时连续拉晶验证；电子级SiHCl₃、SiH₄和掺杂气体由中船725所、昊华气体提供，石墨基座、SiC涂层托盘由湖南东映+山东天岳配套，相当于用一条示范线把“装备—材料—工艺”全部跑通，后续扩产不再受海外炉台或备件禁运限制。 这条产线让“大硅片”国产替代从“能做衬底”升级到“能做外延”，直接服务28nm以下逻辑、3D NAND、DRAM CCP/DDP工艺，标志着大尺寸半导体外延材料进入“中国时间”。
