无EUV光刻机照样造2纳米芯片！瑞银报告揭示中国半导体弯道超车路径
瑞银（UBS）最新报告确认，中国半导体产业在无EUV光刻机条件下，已开发出等效2纳米芯片制造技术路径。该方案结合DUV多重曝光（SAQP）、GAA全环绕栅极晶体管和先进封装三大核心技术，打破“无EUV即无先进制程”的传统认知。
在EUV受限下，中国选择将DUV光刻机性能“压榨到极致”——通过SAQP技术将芯片图案拆成四块“拼图”，分四次曝光再精准拼接，实现21nm以下精度。GAA架构则在垂直方向堆叠纳米片增加导电通道，避开光刻精度瓶颈。存储芯片领域的高深宽比刻蚀与堆叠经验，正成功迁移至逻辑芯片制造。
关键数据：DUV+SAQP实现≤21nm金属间距，满足2nm工艺要求GAA架构通过垂直纳米片堆叠提升性能40%，不依赖极端线宽缩小存储芯片堆叠刻蚀能力成功迁移至逻辑芯片制造中芯国际等已进入小批量试产，2026年产能爬坡
行业影响：技术封锁突破：证明先进制程不一定依赖EUV单一路径。产业链自主加速：刻蚀、沉积等关键设备国产化取得认证。存储能力迁移：形成独特竞争力。全球格局重塑：2027-2028年有望实现设备国产化爆发。
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