阿斯麦CEO：中国光刻机技术落后10-15年，如果没有我们的EUV极紫外刻帮助，中国几乎不能造出来3-5nm工艺，同时表示断供EUV，就是为了防止中国获得先进技术。 荷兰光刻机巨头阿斯麦的首席执行官克里斯托夫·富凯近期公开表示，目前能够向中国出口的光刻机，在技术水平上比其最新的高数值孔径光刻技术整整落后了八代，这些设备大致相当于该公司在2013至2014年间销售给西方客户的产品，这意味着技术差距可能超过十年。 他更是直接点明了西方策略的核心考量：通过精确控制技术输出的代差，既能够保持自身领先优势，又能避免因完全切断供应而迫使中国走上彻底自主创新的道路。富凯甚至抛出一个冷酷的问题，“是让中国落后5年、10年，还是15年？”这种策略被一些分析人士称为“技术鸦片”战略，其目的是让中国的半导体产业处于一种“既饿不死，也跑不快”的依赖状态。 光刻机是制造芯片的核心装备，其中极紫外（EUV）光刻机是生产7纳米及更先进制程芯片必不可少的工具。而中国芯片制造企业目前主要依赖的是相对落后的深紫外（DUV）光刻机。利用DUV设备来生产先进芯片，就如同用一支粗铅笔去绘制精细的素描，过程极其艰难。 为了克服设备上的局限，中国企业不得不采用成本高昂、流程复杂的多重曝光技术，这会导致生产效率降低和成本增加。例如，中芯国际在DUV设备上通过多次曝光技术才实现了7纳米芯片的试产，但与台积电、三星使用EUV设备直接量产的同代芯片相比，在良率和成本上处于明显劣势。这也印证了阿斯麦CEO的判断，即缺乏最先进的EUV光刻机，中国在追逐3纳米、5纳米这类顶尖制程工艺的道路上将面临巨大障碍。 然而，这种技术封锁真的能长久地锁住中国吗？历史经验表明，外部压力往往成为激发中国自主创新的强大动力。阿斯麦CEO自己也承认，他最担忧的正是过度施压会迫使中国“更努力取得成功”。事实上，中国已经围绕光刻技术开启了一场全方位的攻坚。 在整机方面，上海微电子装备公司研发的28纳米浸没式DUV光刻机已进入量产交付阶段，这是国产光刻机商业化的重要里程碑。在更核心的技术环节，中国的科研团队也取得了点状突破：哈尔滨工业大学成功研制了13.5纳米波长的极紫外光刻光源，中科院上海光机所也实现了全固态深紫外光源的突破。此外，华卓精科则攻克了光刻机核心部件双工件台的技术，打破了阿斯麦的垄断。 这些分散的技术突破，正被清晰的国家战略和庞大的市场需求串联起来。中国已经是全球芯片产能扩张最积极的地区，预计到2030年将占据全球30%的晶圆制造产能，这为国产设备的迭代和应用提供了无可比拟的试验场。 从商业角度看，阿斯麦的立场也存在内在矛盾。一方面，它需要迎合西方的政治压力，强调技术管制的有效性；另一方面，它又难以割舍中国这个巨大市场，2024年第一季度中国大陆曾贡献阿斯麦近一半的营收。 富凯曾警告，如果西方过度收紧限制，彻底中断对现有设备的维护和服务，反而可能促使中国企业加速反向工程和自主研发，最终导致西方企业彻底失去中国市场。一旦中国在光刻机、材料、软件、工艺上形成自给自足的闭环能力，将意味着诞生一套全新的供应链体系，届时全球半导体市场的游戏规则可能会被重新书写。 比尔·盖茨曾坦言，美国的科技围堵反而让“中国在芯片制造等领域实现了全速发展”。英伟达首席执行官黄仁勋也多次表示，出口管制未能放缓中国AI的发展速度。当前围绕光刻机的博弈，已然演变为一场关于时间的赛跑。一方试图通过维持“可控的落后”来拖延中国的技术进步；另一方则在举国体制的支持下，于产业链的每一个环节发起集群式冲锋。这场赛跑的前路绝非坦途，但方向已无比清晰。 阿斯麦CEO“落后十年”的论断，与其说是一个技术差距的宣示，不如说是一声刺耳的警钟和一个充满不确定性的赌注。警钟敲给所有依赖外部技术的产业，提醒我们核心技术的命脉必须掌握在自己手中。而赌注则下在了时间上：是西方精心维持的“技术代差”围墙倒塌得更快，还是中国自主创新的闭环形成得更快？这场博弈的最终结局，将由封锁者的算计与受压者的突破速度共同决定。
