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从官方披露的参数来看，该DUV光刻机分辨率为≤65nm，套刻精度≤8nm。虽然相

2024-09-16 17:26:19 向小田说说社会

从官方披露的参数来看，该DUV光刻机分辨率为≤65nm，套刻精度≤8nm。虽然相比之前上微的SSA600光刻机有所提升（分辨率为90nm），但是仍并未达到可以生产28nm芯片的程度，更达不到制造什么8nm、7nm芯片的程度。很多网友直接把套刻精度跟光刻制造制程节点水平给搞混了。

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评论列表

用户13xxx31 39

2024-09-16 22:44

说这有何用意，有总比没有强吧，国内一些人老觉得祖国取得成绩永远都有毛病，这些人活着还不如死去。

宏安居陶瓷 25

2024-09-17 01:16

不懂别乱弹琴！做28nm，足够了！

如果若白 17

2024-09-17 01:25

这个能做7纳米知道不

會飛de金蛋 13

2024-09-17 13:46

傻子，最近国外很多媒体都在报中国可以产8纳米以下芯片了。初步突破美国卡脖子，只是还不知道良率如何。到你这就不能产了。国外那些媒体都是傻子吗。

坚胜 13

2024-09-17 16:13

不去对比看一下阿斯麦的DUV光刻机的光源，193nm，套刻也能生产7nm产品！只是多次曝光套刻的问题！别那么不自信！EUV的光刻机也不是一次性就能产7nm,3nm的，都是多次曝光的良品率，不然成本也不用那么贵！现在思跟都是套在极紫外线光刻机芯片上，所以突破需要时间，如果能开发出新工艺或采用量子芯片，那么90nm的工艺芯片也能顶起3nm的性能[墨镜]

kingw 回复 09-18 10:07
新工艺还行，量子芯片就别拿来碰瓷了，不同赛道。量子计算和经典计算的关系就如同米饭和蔬菜，并不能互相替代。