丨美国芯片法案！ 美台之问的合作基础动拉。 《芯片法案》的影响与地区产能失衡 美国《芯片法案》通过后，台积电在美投资建立的两座新厂，获得补贴超过50亿美元。 但是《芯片法案》有一个要求，那就是台积电在美国的这两座新厂，必须在10年内不扩产也不建立新的工厂，而不扩产的区域包括了台积电在东南亚的所有工厂。 台积电不扩产的承诺，时间长达10年，这对于台积电来说并不是一个小压力。 因为台积电在东南亚扩产的计划，本来就已经提上了日程，比如在越南建立新的8寸和12寸晶圆厂。 而现在台积电接受了美国的要求，10年内都不能扩产，这对于台积电在东南亚的布局，无疑是一个巨大的障碍。 同时台积电又不能在美国扩产，不能再拿到更多的补贴，这对于台积电来说，似乎只有接受“补亏”了。 而台积电接受美国的要求，实际上也意味着美国将会加速实现芯片供应链的“独立”，这对于整个地区的产能布局，显然是不利的。 英伟达与台积电的合作及其挑战 英伟达和台积电的合作，曾让外界看到美国芯片制造的希望，但是这种希望很快就被浇灭了。 因为不管英伟达和台积电合作，生产出多先进的芯片，最终这些芯片还是需要通过全球供应链来进行组装和销售。 英伟达创始人黄仁勋，和台积电董事长魏哲家当地时间10月17日，在亚利桑那州凤凰城，庆祝“美国本土首片Blackwell晶圆”下线。 美国试图通过建立技术壁垒，来保护自己的利益，但是这种保护很可能会伤害到全局。 这片晶圆是美国人等待的成果，它标志着美国经过多年的努力，终于在半导体制造领域赶上了台积电。 制造出可与台积电比肩的先进半导体，时间是1997年。 当时高端芯片产线撤离了，随后美国又经过了20多年的努力，才让高端芯片产线回归。 Blackwell芯片的技术特点与台积电的投资 Blackwell芯片是英伟达于去年公布的下一代数据中心GPU，面向超算、AI及大数据等应用。 今年5月，英伟达确认该芯片将由台积电4NP工艺制造，并于10月17日宣布首片晶圆下线。 台积电4NP工艺是台积电去年新推出的4系列工艺，属于4毫微米级工艺，比5纳米工艺更先进。 集成2080亿个晶体管，比 Hopper 芯片多40%。 推理性能提升30倍，成本能耗降低25%。 台积电在亚利桑那州共投资1650亿美元建立了两座新厂，其中一座新厂就是英伟达数据中心GPU芯片的生产线。 受益于美国《芯片法案》的资金支持，以及美台长期合作的基础，两者才能够携手共进。 但是这种合作“共进”，未来可能会变成“各进各出”，美台之间的合作基础动摇。 结语 提到的美台合作与《芯片法案》的影响，让我觉得美国在芯片领域的“独立”之路并不简单。
