接上条。。。。。。。
Q&A
Q: 目前DRAM的玩家格局及各厂商的市场占比情况如何？
A: DRAM市场主要由三星、海力士、美光三家主导，市场占比分别为41%、27%、26%左右，国内厂商长兴占比约6%。
Q: 目前存储行业的库存和稼动率情况如何？对价格有何影响？
A: 24年Q3左右存储行业库存量约4个月，24年以来库存逐步下降。当前DRAM稼动率约82%，处于正常供需关系下稼动率的下限，原厂通过调整稼动率推动价格提升。
Q: 存储行业的终端需求主要分为哪些领域？
A: 存储行业终端需求主要分为五块领域，分别是手机、PC、笔记本电脑、服务器。
Q: 三星、美光、海力士及长鑫、长存明年的扩产片数规划预期如何？
A: 明年存储厂商扩产规模分HBM、DRAM、NAND三类。HBM当前产能32.6万片，明年额外扩产15万片，总产能达47-48万片，价格稳中略降，主要因原厂通过控制稼动率平衡供需，终端客户接受高价格。DRAM与NAND明年扩产规模均约30万片，但需求端DRAM需增加45万片、NAND需增加50万片，存在供需缺口；叠加OpenAI、Oracle等企业向三星、海力士、美光预定产能囤货，进一步加剧供需紧张，预计明年Q3前DRAM与NAND价格将持续上涨。
Q: 后续跟踪哪些指标可提前判断DRAM或NAND的涨价动能？
A: 判断DRAM或NAND涨价动能需跟踪三大核心指标：一是稼动率，即主要原厂产能总数乘以稼动率；二是库存量，供需平衡时库存量通常为两个半月至3个月水平；三是需求，即终端对原厂晶圆片数的需求量。此外，CAPEX投资是关键辅助指标，其虽滞后于存储周期但趋势高度吻合，需关注投资与需求的匹配情况以判断价格趋势。
Q: 当前存储原厂稼动率约80%，库存处于较低水平，若四季度稼动率上升，整体价格涨幅或斜率是否会收窄？尽管市场预期涨价趋势至少持续至明年一季度或二季度，是否存在稼动率提升后涨幅逐季度收窄的可能性？
A: 若原厂稼动率从80%提升至90%，按每月180万片产能计算，将增加约18万片/月产能。明年存储市场缺口约40-50万片，但同期产能扩张约30万片，可能对价格产生暂时冲击，导致涨幅从20%收窄至17%-18%。但因需求旺盛且客户开始备货，整体价格仍保持上升趋势，收窄幅度有限。
Q: 服务器近期是否出现架构变化？推理端占比提升后，推理型相对于训练型在NAND及ESSD领域是否存在新增增量需求？是否存在原由HBM承接的存储需求向NAND或DRAM转移的情况，导致NAND或DRAM结构性供不应求？
A: 训练端向推理端及端侧发展的趋势下，NAND与DRAM需求均有提升，但DRAM需求提升更显著。端侧产品主要依赖DRAM颗粒，以手机为例，DRAM容量预计从当前平均10GB增至14GB，增幅超40%，需晶圆需求额外增加40%以匹配增长。NAND需求受益于HDD市场变化：一是冷数据向温/热数据转化及多模态数据增加，推动ESSD用量攀升；二是希杰、西数等HDD原厂明年无大规模扩产计划，厂商转向SSD开发，进一步拉动NAND需求。整体呈现DRAM与NAND需求结构性提升的特征。
Q: 是否有跟踪相关溢价百分比？近期ESSD是否因溢价收窄导致出货量需求爆发并拉动上游晶圆产能？
A: 存在相关迹象。OpenAI、Oracle、AWS、Microsoft等企业已向三星、海力士、美光提出ESSD提升需求。ESSD与普通NAND Flash共线生产，通过分bin从晶圆中挑选高阶产品，当前单晶圆ESSD产出占比约20%-30%。以当前NAND产能约200万片计算，对应ESSD产能仅约60万片，产能不足促使终端客户预定产能。此外，HDD原厂不扩产进一步刺激ESSD需求爆发。
Q: 是否存在需求端传导导致价格先行的逻辑？
A: 存在该逻辑。ESSD生产依赖与普通NAND Flash同晶圆分bin提取高阶产品，单晶圆最高仅能提取20%-30%的ESSD产能。基于200万片NAND产能计算，ESSD可用产能约60万片，无法满足OpenAI、Oracle、AWS、Microsoft等终端客户向三星、海力士、美光预定的需求，叠加HDD原厂不扩展产能进一步刺激需求爆发，最终导致供给不匹配，形成价格先行的状况。
