存储行业近况交流
全文摘要
1、存储行业市场格局与供需现状
·DRAM市场格局：DRAM市场主要厂商份额分布为：三星占41%，海力士占27%，美光占26%，国内长鑫占6%。从库存周期来看，2024年Q3左右，原厂及代理商渠道的库存量基本在4个月左右；进入2025年后，库存量逐步减弱。当前DRAM稼动率为82%，而正常供需关系下的稼动率区间为80%-85%，当前稼动率处于该区间的下限水平，对价格有提升作用。
·终端需求结构：存储终端需求主要分为手机、PC、利基、服务器、车载五大领域。其中，手机市场占比最高，达35%，且Q4通常为旺季，2025年Q4因iPhone 17、小米17、华为Mate X6等新机型发布，进一步带动了手机领域存储需求的提升。服务器市场占存储需求的30%，增速较快且占比高，是行业核心驱动领域之一；车载市场增速虽快，但在存储需求中占比仅约3%，驱动力有限。PC领域需求呈现微降趋势，利基领域中DDR4需求增长，但PC与利基领域合计占存储需求的比例不足30%。综合来看，存储整体需求呈现向上态势。
·NAND Flash市场现状：NAND Flash市场玩家格局较为激烈，主要厂商包括三星（份额最高，占31%）、铠侠、西部数据及国内长江存储。库存方面，2024年因需求相对不旺盛，NAND库存基本保持平衡；2025年起，库存量呈下降趋势。当前NAND稼动率处于78%-80%区间，虽价格表现较好，但原厂未立即提升稼动率，主要原因包括认为价格尚未涨至目标水平，以及参考历史经验——2022-2023年周期中，原厂曾因过早提升稼动率导致价格暴跌至低位。基于此，原厂计划在2025年Q4（11月底至12月）将稼动率提升至90%左右，接近满产状态。
2、存储产品价格与技术演进
·DRAM与NAND产品价格：DRAM方面，不同类型产品现货价如下：DDR4中，16GB 3200规格为6.8美元，6GB ETT规格为4.5美元；DDR5价格范围在8.5 6美元。服务器用RDIMM方面，DDR4 16GB 3200规格从85美元上涨至90美元（涨幅12.5%），32GB 3200规格约140美元；DDR5 32GB RD规格为145美元。PC用UDIMM方面，8GB 3200规格为15美元，16GB规格为27美元。笔记本用SO DIMM方面，4GB 3200规格为14美元，8GB规格为28美元。手机等移动消费电子端用LPDDR4方面，12GB（96GB）规格为33美元，8GB（64GB）规格为25.5美元，6GB（48GB）规格为22.5美元。
NAND方面，典型产品价格如下：1TB QLC为5.5美元，1TB TLC为6.2美元。UFS颗粒方面，UFS 2.2 64GB规格为5.3美元，128GB规格为8.5美元。SSD方面，渠道市场合约价中，256GB P3E3.0规格为13.8美元，512GB P3E3.0规格为22.3美元；行业市场现货价中，256GB P3130规格为21.5美元，512GB P3130规格为33美元，现货价高于渠道合约价。
·技术演进对比：DRAM技术路径方面，国际主流厂商（三星、海力士、美光）采用D1 Beta制程，接近12纳米；长鑫存储（CXMT）目前使用D1Z工艺（约15.8纳米），正在开发D1Alpha（14纳米工艺），与国际厂商技术差距约1.5 2代。
NAND技术路径方面，国际厂商以堆叠层数衡量技术，量产最高规格为V9（296层），并在开发V10（400层）；长江存储量产V8（232层），正在开发V9，与国际厂商技术差距约0.5 1代。长江存储采用X stacking技术，通过分离存储阵列与外围电路并使用混合键合结合，该技术为未来趋势，国际厂商（如三星）已计划合作。NAND技术整体发展难度低于DRAM，长江存储技术路线符合行业方向。
3、存储产能分布与关键技术
·全球产能分布：全球DRAM和NAND Flash制品主要由三星、海力士、美光三家企业生产，产能分布如下：三星仅在韩国和中国生产，韩国采用4+1模式，四座fab厂分别位于华城市、平泽市、天安市、七星市，一座封测厂位于翁阳市；中国有两座工厂，西安工厂负责NAND Flash的晶圆制造、封装测试及SSD模组成型，苏州工厂仅负责DRAM封装测试。海力士在韩国清州、龙仁及美国设有工厂，中国有三座工厂（无锡两座生产DRAM，大连一座生产NANDFlash，为收购英特尔的工厂）。美光主要在美国生产，中国西安有一座与台湾立成科技合作的后段封装测试工厂（非全资）。产能方面，以12英寸300毫米晶圆计，DRAM月产能总计约150万片，其中三星66万片、海力士43.5万片、美光41.8万片；NAND月产能总计约170万片，其中三星60万片、海力士36.8万片、美光23万片，凯霞和西数数据各约21 22万片。当前稼动率水平为DRAM约82%，NAND为78% 80%。
·CF方与CBA技术：CF方与CBA技术是提升存储密度、应对纳米制程演进难度的关键方向。CBA技术（course bar area）的核心是分离存储阵列与外围电路阵列，分别在两片晶圆上制造后通过混合键合结合。此方法可避免存储阵列生长时的高温高压对外围电路的影响，且外围电路可采用逻辑芯片代工工艺（如三星Foundry、联电、Global Foundry等）。CF方技术通过缩小存储单元面积提升密度，存储单元面积从8F²（4F×2F）逐步缩小至6F²（3F×2F）、4F²（2F×2F）。其结构为垂直堆叠：电容器在上，外围电路在中间，存储阵列在下。这种垂直放置的结构是3D DRAM发展的基础，CF方技术有两种构造方式，存储阵列可置于外围电路上方或下方。
4、HBM市场分析与技术路线
·HBM市场供需与价格：HBM与AI产品存在充分必要关系，当前所有HBM仅用于AI领域，未在其他领域渗透，且所有AI产品基本需使用HBM。从市场供需看，2023年HBM月产能约10万片（单位K），对应GPU板卡数量约400万张（计算方式：10万片/月×12月×180（单片晶圆切割数）÷6（单GPU需6颗HBM颗粒）÷8（单HBM颗粒8层结构）），彼时产能与需求基本对应，导致缺货。2025年月产能达32.6万片，对应GPU板卡数量1100 1200万张。预计2025年全年GPU板卡需求为900 1000万张，虽供给端数值超需求，但考虑囤货或加库存因素，供需基本平衡。价格方面，HBM3E当前价格约15.6美元，HBM3价格14 15美元，HBM2与HBM2E价格11 12美元。产能分配上，2023年HBM月产能10万片中，三星占4万片、海力士5万片、美光1万片；2025年预计三星14万片、海力士15万片、美光3.6万片（单位均为K）。
·HBM技术与产业链：HBM属于DRAM的一种，遵循JEDEC标准，其核心技术为3D堆叠方案，包含硅通孔（TSV）技术和微凸点（Micro bumping）键合技术，采用2.5D封装结构（介于2D与3D之间，含硅中间层）。键合技术方面，海力士采用MR MUF（批量回流焊），效率高但精度低、易翘曲；三星与美光采用TC SCF（热压键合），精度高但效率低。未来因HBM带宽增加、TSV孔间距缩小，两种技术将无法满足精度要求，需转向混合键合（Hybrid bonding）。HBM技术工艺当前使用D1 Beta工艺，HBM4预计2026年推出时采用D1 Gamma（约10nm工艺）。产业链方面，TSV工艺包含五大步骤：通孔刻蚀（深反应离子刻蚀，设备为应用材料、泛林、中微、北方华创，需氟基气体如夜空、默克林德）、绝缘/阻挡/种子层沉积（材料为二氧化硅/氮化硅等，方法PECVD/SA CVD/ALD，设备科磊、拓荆）、电镀铜（设备安美特、东京电子等，国内上海新阳参与材料）、正面CMP（设备应用材料、Aberro，国内鼎龙、安集参与材料）、晶圆减薄（设备Disco、TSK）。
·HBM竞争格局：当前HBM市场份额中，海力士占53%、三星38%、美光9%。预计2026年Q2份额将变化为：海力士42%、三星40%、美光18%。海力士的先发优势源于2013年与AMD合作开发HBM，后绑定英伟达，但其优势预计持续至2026年Q2。美光因进入HBM市场较晚，跳过HBM3直接开发HBM3E（性能超部分竞品），叠加美国企业身份，份额将提升。三星的增长动因在于，英伟达等GPU厂商因台积电产能限制及议价需求，倾向选择三星提供‘代工 + HBM’一站式方案，其2025年HBM月产能达14万片（单位K），支撑份额提升。未来HBM竞争格局有望从当前一家独大转向海力士、三星、美光三足鼎立。
5、存储供需与价格趋势讨论
·扩产与供需缺口：存储厂商2026年扩产计划方面，HBM当前产能为32.6万片/月，2026年将额外扩产15万片/月，扩产幅度约47%-48%，总产能将达到47-48万片/月。DRAM与NAND 2026年扩产规模均约为30万片/月，扩产率约15%-16%。供需缺口方面，预计2026年DRAM需求增量为45万片/月，NAND需求增量为50万片/月，而两者扩产规模仅30万片/月，仍存在明显缺口。此外，OpenAI、Oracle等企业已向三星、海力士、美光等厂商预定产能，进一步加剧了存储产品的供应紧张状况。
·价格跟踪指标与趋势：存储价格跟踪的核心指标包括稼动率、库存量、需求及CAPEX。稼动率方面，当前原厂稼动率约80%，若提升至90%，以每月180万片的平均产能计算，可增加约18万片/月的产能。库存量方面，供需平衡时库存水平约为2.5-3个月。需求方面需跟踪终端领域对晶圆的需求规模。CAPEX投资虽滞后于存储周期，但趋势与周期高度吻合，原厂投资CAPEX表明市场向好。价格趋势方面，稼动率提升可能使涨幅收窄（如20%降至17%-18%），但由于45-50万片的需求缺口及客户备货行为，价格整体仍保持上行趋势。结构性需求上，推理端向端侧发展推动DRAM需求增长，以手机为例，DRAM需求有望从平均10GB增至14GB，增幅超40%，带动晶圆需求增长。NAND方面，HDD冷数据转热数据、多模态数据增加（如图片、视频）推动SSD需求上升；同时，HDD原厂（如西数、希杰）2026年无大规模扩产计划，加速HDD向SSD转换。SSD生产依赖NAND晶圆分bin（分等级），当前NAND晶圆中仅20%-30%可用于生产高阶SSD，以200万片/月的NAND产能计算，SSD可用产能仅60万片/月，难以满足需求，终端客户已开始预定产能。
