继荷兰日本之后！大陆将独立造光刻机，外媒：似乎搞错了 光刻机作为芯片制造的“皇冠明珠”，长期被荷兰、日本垄断，谁能跻身这一行列，就意味着在半导体产业链掌握了关键话语权。 大陆光刻机研发进展引发全球媒体热议，日本《日经亚洲》抛出“中国或成全球第三个独立制造全套光刻机国家”的判断，却有不少西方媒体直接反驳“似乎搞错了”，两种截然不同的声音背后，是对中国半导体产业突围路径的不同解读。 《日经亚洲》在系列报道中详细梳理了大陆光刻机产业的突破轨迹，给出了相对乐观的判断。该媒体注意到，中国早在1977年就已涉足光刻技术领域，只是后来逐渐落后于欧美，而2018年以来的外部技术封锁，反而倒逼大陆加速自主研发。 在资金投入上，国家集成电路大基金第三期已投入3440亿元，精准扶持光源、镜片、光刻胶等核心环节。 在技术成果上，上海微电子的65纳米DUV光刻机已实现商用，稳定性和良率达到行业平均水平，28纳米浸没式光刻机也进入量产验证阶段，预计2026年就能交付产线。 大陆并非一味追赶高端EUV光刻机，而是走差异化路线，芯上微装的350纳米制程光刻机国产化率高达83%，已适配新能源、5G等特色工艺市场，这种“从成熟制程突破”的策略被日媒认为是务实且有效的突围路径。 《日经亚洲》还提到，大陆在软件领域的创新同样亮眼，通过AI建模构建数字孪生模型，大幅缩短了设备调试周期，目前已实现光刻设备操作系统全栈自主开发，摆脱了对国外技术服务的依赖。 与日媒的乐观形成鲜明对比的，主要是美国、荷兰等国的媒体和智库，其中高盛发布的报告最具代表性，直接否定了“大陆能独立造全套光刻机”的说法。 这些质疑者的核心观点集中在三点：一是技术代差依然巨大，高盛报告指出，大陆目前能自主量产的光刻机仍停留在65纳米水平，与荷兰ASML可制造3纳米芯片的EUV光刻机相差约20年，即便中芯国际能生产7纳米芯片，也是通过旧款DUV设备加多重曝光技术实现，存在成本高、良率低的问题。 二是核心部件仍有短板，他们认为大陆光刻机的部分关键零部件仍依赖进口，尤其是高数值孔径物镜等“卡脖子”环节尚未完全突破，所谓“全套自主”并不成立。 三是量产稳定性存疑，西方媒体援引行业数据称，28纳米光刻机需达到90%的产线良率才算达标，而目前多重曝光工艺可能导致良率下降10%-15%，商业化进程可能不及预期。 此外，美荷部分媒体还借所谓“知识产权问题”造势，暗示大陆技术可能源于逆向工程，试图从道义上打压中国的研发成果。 其实两种声音的分歧，本质上是看待“技术自主”的标准不同。质疑者更看重“顶尖技术指标”，以ASML的EUV光刻机为唯一参照系，自然会觉得大陆还有差距。 而《日经亚洲》更关注“全产业链能力”，看到的是大陆从设备到材料、从硬件到软件的完整布局。客观来看，大陆确实还没造出最先进的EUV光刻机，但在成熟制程领域的突破已不容忽视。 全球70%的芯片需求集中在28纳米以上的成熟制程，大陆在350-28纳米领域已实现83%的国产化率，国产设备价格比进口低30%以上，完全能满足汽车电子、工业控制等主流场景需求。 大陆正通过多元技术路线追赶，哈工大的LDP-EUV光源技术绕过了ASML专利，杭州“羲之”电子束光刻设备、璞璘科技纳米压印设备等替代方案也已在细分领域应用，其中纳米压印设备精度达0.6nm，成本仅为EUV的40%。 这场争议也反映出全球半导体产业的格局变化，外部封锁并未挡住大陆的研发步伐，反而推动形成了自主可控的产业生态。 2025年中国大陆晶圆厂设备支出已占全球42%，庞大的市场需求为国产设备提供了宝贵的测试和迭代机会。 或许现在说“大陆已成为第三个独立造全套光刻机国家”还为时尚早，但从65纳米到28纳米的稳步突破，从单一设备研发到全产业链协同，中国半导体产业的突围之路虽漫长却方向清晰。 外媒的质疑可以理解，但他们可能忽略了一个关键事实：技术突破从来不是一蹴而就的，当年荷兰、日本也是经过数十年积累才实现垄断，给中国产业一点时间，这场“搞错了”的争议或许会有不一样的答案。
