上二周在炒光刻机，纷纷扬扬感觉弯道超车即将成功，其实就是你相信就好！观察光刻机很

上二周在炒光刻机，纷纷扬扬感觉弯道超车即将成功，其实就是你相信就好！观察光刻机很多年了，随便聊聊…

1.光刻机分两种：DUV（深紫外，193nm）和 EUV（极紫外，13.5nm）。

DUV 又分 ArF 干式（用于 90nm–65nm）和 ArF 浸没式——后者通过多重曝光，理论上可做到 7nm，是目前非 EUV 路线的最先进水平。

EUV 只需一次曝光就能实现 7nm 及以下，是先进制程的核心

2.上海微电子展示的是教学机，打个不太好的比喻，就像母乳喂养，只给你看个罩杯，奶能不能滴出来、能不能喂饱婴儿，谁也不知道。

多重曝光能让 DUV 做到 7nm，理论上可行，但实际无法产业化，成本太高、良率太差、效率太低，这是不现实的，雷布斯不是干过吗？

国产 EUV 估计得十年以上，以为拆一台机器就好了？又不是乐高，难点不只是光源，还有镜头、工件台、控制系统等等

3.为什么每次炒光刻机都有凯美特气？因为2023 年真拿到了 ASML 子公司 Cymer 的认证，能供应光刻机用的关键特气（比如氟化氩），还有蓝英装备，子公司是 ASML 全球唯一指定的光刻机清洗服务商，算是服务配套了一点

4.既然要靠多重曝光“弯道超车”，那曝光次数多了，材料消耗自然上升——特气、光刻胶、抛光材料这些，用量都会增加

5.真正在国产替代上进展比较快的环节，是一些材料，如靶材、特气、CMP 抛光材料，还有一些设备和封测

光刻机不是吹牛吹出来的，是一步一个脚印（我曾经翻过ASML的历史，它是30年前从philip分离出来，从一个破工棚开始再获得多轮投资，特别是美方支持)

我觉得euv光刻机可能真的要10-20年，期间还不能内讧，资金充足，很大的体系工程，还要运气好技术路线不走岔路。当然别人也会等着你，已经到了物理极限了，他们也做不出更强的机器了。后面也是在软件系统和封装上想办法了，急没有用。要拿出当年涡扇十，二十年磨一剑的精神来，从喷零件到稳定可靠，一通百通。工程的东西没有好办法。 现在有7nm工艺，不影响各方面发展，有差距没事的。