昨天晚上摩根士丹利《存储行业超级周期报告》核心总结AI版一、行业核心趋势:AI驱

含芙看历史 2025-10-09 22:24:08

昨天晚上摩根士丹利《存储行业超级周期报告》核心总结AI版

一、行业核心趋势:AI驱动存储超级周期

AI需求持续推动DR­AM、NA­ND、NOR Fl­a­sh三大存储品类进入超级周期,中国存储企业仍在积极扩产,摩根士丹利上调南亞科技(Na­n­ya Te­ch)、群聯電子(Ph­i­s­on)、慧榮科技(SI­MO)三家企业目标价(PT)。

二、细分存储品类供需与价格预测

1. DR­AM:DDR4短缺成核心矛盾

• 供需缺口:未来三个季度DDR4供应缺口为10%-15%,后端产能限制可能加剧短缺,短缺状态最早持续至2026年第四季度(4Q26)。

• 价格与业绩:主流DR­AM厂商已停止向企业客户提供报价,预示后续涨价空间;南亞科技2025年第三季度(3Q25)营收环比增长79%,预计后续平均销售价格(ASP)环比至少上涨20%;DDR3价格同样强劲,2025年第四季度(4Q25)有望实现高双位数增长。

• 供应端支撑:三星、美光等主流厂商聚焦DDR5和HBM,仅向核心客户提供最低限度的DDR4支持,2025年DDR5预计占市场80%,无意愿扩大DDR4产能。

2. NA­ND:AI与非AI需求分化

• 供需预测:2026年基准情形下NA­ND短缺2%,乐观情形下因NL SSD替代NL HDD,短缺率或从5%扩大至8%,2026年NA­ND价格至少上涨中双位数。

• 需求驱动:AI推理需求加快、HDD容量受限,推动云服务提供商(CS­Ps)2026年NL eS­SD订单翻倍,模组厂商(如群聯電子)直接受益。

3. NOR Fl­a­sh:供需缺口与价格支撑

• 供需变化:后端产能限制导致供应增长受限,2026年上半年(1H26)物联网(如Ai­r­P­o­ds)、服务器需求或推动供应缺口从低个位数升至中个位数。

• 需求亮点:2026年Ai­r­P­o­ds或占全球NOR需求的5%-10%(每副需3颗高密度NOR芯片),价格上涨趋势将持续至2026年。

三、重点企业与投资评级

1. 上调目标价企业

• 南亞科技(2408.TW):PT从NT$90上调至NT$110,受益DDR4短缺,2025年EPS上调150%,预计2026年毛利率达54.4%。

• 群聯電子(8299.TWO):PT从NT$800上调至NT$1,000,2026-2027年EPS分别上调3%、6%,NA­ND模组业务受益价格上涨,2026年营收预计达NT$947.99亿。

• 慧榮科技(SI­MO.O):PT从US$88上调至US$100,2025-2027年GA­AP EPS分别上调4%、13%、13%,受益NA­ND控制器外包趋势,AI/数据中心、汽车领域需求带来增量。

2. 其他推荐企业

• 偏向持有(OW):华邦电子(Wi­n­b­o­nd)、兆易创新(Gi­g­a­D­e­v­i­ce)(受益DDR4涨价);北方华创(NA­U­RA)、中微公司(AM­EC)、盛美上海(AC­MR)(受益中国存储国产化)。

• 中性(EW):力积电(Po­w­e­r­c­h­ip);部分受益企业:AP Me­m­o­ry、华虹半导体(PS­MC)(DDR3涨价带动)。

四、中国存储企业动态:积极扩产

• 长鑫存储(CX­MT):2025-2027年DR­AM产能预计达270/290/340kw­pm,计划推进IPO,募资或加速扩产,2027年总产能或超300kw­pm。

• 长江存储(YM­TC):2025年新增10kw­pm产能,2026年再增40kw­pm,2025年第三季度(3Q25)启动新Fab 3设备搬入,2026年逐步爬坡。

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