革命，台积电2nm工艺已于2025年Q4如期量产，首次采用GAA纳米片晶体管技术

革命，台积电2nm工艺已于2025年Q4如期量产，首次采用GAA纳米片晶体管技术，技术革命。 2nm工艺将使AI芯片能效比提升30%以上，直接推动大模型推理成本下降。预计2026年AI服务器将大规模采用2nm芯片，加速AGI应用落地。 技术革命： 晶体管架构的彻底革新： 台积电N2工艺首次采用全环绕栅极（GAA）纳米片晶体管，相比传统FinFET架构，栅极完全包裹水平堆叠的纳米片沟道。这种设计使静电控制更精准，漏电率显著降低，同时在不牺牲性能的前提下实现更小尺寸。 性能与能效的量子级提升： 相比N3E工艺，N2实现三大突破：同等功耗下性能提升10-15%，同等性能下功耗降低25-30%，混合设计晶体管密度提升15%（纯逻辑设计达20%）。 这意味着未来芯片将更小、更快、更省电。 供电系统的精密升级： 集成超高性能金属-绝缘体-金属（SHPMIM）电容器，电容密度达上一代两倍，电阻降低50%，显著提升供电稳定性。 5nm芯片技术